베렉스가 SOI RF 기술을 이용해 5G 기지국과 DAS (Distributed Antenna System) 애플리케이션 및 광범위한 무선통신 장비시장 애플리케이선에 맞춘 SPDT (Single-Pole, Double Throw) 흡수형 RF 스위치 2종(BSW6620, BSW6622)을 출시했다.
특히 이 제품은 회로 설계 및 반도체 공정 모두 국내 순수 독자 기술로 개발된 제품으로, SOI (Silicon on Insulator) RF CMOS 공정기술을 이용해 무선 구간에서 업스트림(Upstream), 다운스트림(Downstream)을 스위칭하는 컴팩트한 사이즈(4mmx4mm)의 고격리(특허 등록) 와이드밴드 고선형 제품이다.
BSW6620, BSW6622는 5G 무선통신 시스템에 적합한 흡수형 RF 스위치(Switch) 제품으로 스위치를 끄면, 스위치가 내부에서 50Ω으로 연결돼 무선통신 애플리케이션에서 안정성을 높여 사용할 수 있다.
BSW6620, BSW6622는 5MHz~8000MHz 주파수 범위, 2.7~5.5V 전압 범위로 작동되며 SPDT 흡수형 제품으로 스위치를 끄면 시스템 내부에서 임피던스 정합(50Ω)이 되므로 반사형보다 안정성이 우수해 5G 기지국 & DAS (Distributed Antenna System) 애플리케이션 및 광범위한 무선통신 장비시장 애플리케이션에서 사용성이 높다.
고선형 설계 기술(BSW6620: IP1dB 35.7dBm@3.5GHz, IIP3 68dBm@3.5GHz / BSW6622: IP1dB 36dBm@3.5GHz, IIP3 64dBm@3.5GHz)이 적용돼 5G BTS & DAS (Distributed Antenna System) 애플리케이션 제품에 사용 가능하고, 5G 주파수인 3.5GHz, 4.9GHz 동시 사용이 가능한 미래 지향적 제품이다.
BSW6620, BSW6622은 스위칭 시 일정한 임피던스 성능으로 핫 스위칭 내구성이 뛰어나고, 위상 및 진폭 변화가 적어서 업스트림과 다운스트림(Upstream/Downstream)에 있는 PA 및 ADC와 같은 민감한 장치의 손상을 최소화할 수 있다.
제품 내부에 ESD (Electrostatic Discharge) 보호회로 설계 기술이 적용돼 모든 입출력 핀이 ±1500V(BSW6622), ±2500V(BSW6620)까지 정전기에 안전하며, 동작 온도 -40℃~+105℃ 범위에서 안전하게 사용할 수 있어 아웃도어 시스템 설계에 적합한 제품이다.
컴팩트한 사이즈(4mmx4mm)에 고주파수 영역에서 높은 수준의 격리도(BSW6620: 60dB(RFc-RFx), 52dB(RFx-RFx) @3.5GHz, BSW6622: 58dB(RFc-RFx), 67dB(RFx-RFx) @3.5GHz) 제품으로 세계 최고 수준의 성능을 갖추고 있다. 이 기술은 특허 등록(10-1874525, 10-2034620, 10-2195772)됐으며, 베렉스는 독자적인 기술을 보유한 기술 중심의 RF 세미콘덕터(Semiconductor) 전문 회사가 됐다. 특히 높은 격리도는 고성능 무선통신 시스템에서 스위치 숫자를 줄여서 비용을 최소화할 수 있는 장점이 크다.
현재는 5G 무선통신 장비용 RF 스위치는 수입에 의존하고 있으며, 이번 국산화 개발을 통해 5G BTS & DAS 애플리케이션 시장부터 확대될 것으로 기대된다.
이번 성과를 계기로 베렉스는 무선통신 시장의 글로벌 회사에 진입이 기대되며, RF Switch 분야에 수출 증대가 가능하게 됐다고 밝혔다.
베렉스는 고격리 특허 기술을 이용해 5G 기지국, DAS용 흡수형 SP4T, SP5T, SP6T, SP8T, SP12T까지 제품을 확장해 세계 정상급 RF 세미콘덕터 회사로의 진입 목표를 갖고 있다.